總投資200億元，士蘭微擬投建12英寸高端模擬集成電路芯片項(xiàng)目

2025-10-21 14:00:25來(lái)源：儀表網(wǎng) 閱讀量：1617 評(píng)論

　　10月19日晚，士蘭微(600460)公告，公司與廈門(mén)市人民政府、廈門(mén)市海滄區(qū)人民政府于10月18日在廈門(mén)市簽署了《12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目戰(zhàn)略合作協(xié)議》，同時(shí)，公司全資子公司廈門(mén)士蘭微擬與廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門(mén)新翼科技實(shí)業(yè)有限公司共同向子公司士蘭集華增資51億元并簽署《12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》。

　　公告顯示，士蘭集華作為“12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目”的實(shí)施主體。該項(xiàng)目產(chǎn)品定位為高端模擬集成電路芯片，規(guī)劃總投資200億元，規(guī)劃產(chǎn)能為4.5萬(wàn)片/月，分兩期實(shí)施。兩期建設(shè)完成后，將在廈門(mén)市海滄區(qū)形成年產(chǎn)54萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

　　其中，一期項(xiàng)目投資100億元建設(shè)主體廠房、配套庫(kù)房、110KV變電站、動(dòng)力站、廢水站、大宗氣站等公用輔助設(shè)施以及部分工藝設(shè)備購(gòu)置，建成后形成月產(chǎn)能2萬(wàn)片；二期項(xiàng)目規(guī)劃投資100億元，在一期基礎(chǔ)上通過(guò)購(gòu)置工藝設(shè)備及配套實(shí)施，建成后新增月產(chǎn)能2.5萬(wàn)片。

　　士蘭集華一期項(xiàng)目資本金為60.10億元，本次擬新增的注冊(cè)資本為51億元，由士蘭微及廈門(mén)士蘭微與廈門(mén)半導(dǎo)體、新翼科技以貨幣方式共同認(rèn)繳，其中，公司和廈門(mén)士蘭微合計(jì)認(rèn)繳15億元，廈門(mén)半導(dǎo)體認(rèn)繳15億元，新翼科技認(rèn)繳21億元。

　　本項(xiàng)目定位于高端模擬芯片領(lǐng)域，具有技術(shù)門(mén)檻高，設(shè)計(jì)復(fù)雜，對(duì)性能、可靠性、功耗要求極嚴(yán)苛的特點(diǎn)。目前國(guó)內(nèi)整體模擬芯片市場(chǎng)的國(guó)產(chǎn)化率仍然處于較低水平，尤其是高端模擬芯片的國(guó)產(chǎn)化仍有較大的成長(zhǎng)空間。隨著新能源汽車(chē)、大型算力服務(wù)器、工業(yè)、機(jī)器人、通訊等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域未來(lái)幾年的快速發(fā)展，本項(xiàng)目的投建有利于加快高端模擬芯片的國(guó)產(chǎn)化替代，提高公司的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)能力。

　　士蘭微表示，如本次投資事項(xiàng)順利實(shí)施，將為士蘭集華“12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目”的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障，有利于充分發(fā)揮公司在設(shè)計(jì)制造一體化模式(IDM)長(zhǎng)期積累的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，持續(xù)提升綜合能力，符合公司長(zhǎng)期發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃；有利于加快完善公司在高端模擬集成電路芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力；有利于抓住當(dāng)前新能源汽車(chē)、算力服務(wù)器、機(jī)器人等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展契機(jī)，推動(dòng)公司主營(yíng)業(yè)務(wù)持續(xù)成長(zhǎng)。

　　在此次重大合作之前，士蘭微就曾與廈門(mén)市方面有所合作。

　　2024年5月21日，士蘭微曾與廈門(mén)市人民政府、廈門(mén)市海滄區(qū)人民政府共同簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，協(xié)議各方合作在廈門(mén)市海滄區(qū)建設(shè)一條以SiC-MOSFET(碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，項(xiàng)目一期投資規(guī)模70億元，二期投資規(guī)模50億元，兩期建設(shè)完成后，將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

　　另?yè)?jù)士蘭微披露，8英寸SiC項(xiàng)目的主廠房及其他建筑物已于今年2月28日實(shí)現(xiàn)全面封頂，并于6月26日實(shí)現(xiàn)首臺(tái)工藝設(shè)備進(jìn)廠安裝，預(yù)計(jì)將于今年四季度實(shí)現(xiàn)8英寸SiC大線通線并試生產(chǎn)。

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